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AI驱动内存暴涨!三星Q3利润创三年新高:12.1万亿韩元超预期20%

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  • 发布于 2025-10-14
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10月14日,三星电子发布2025年第三季度初步业绩,营业利润达12.1万亿韩元(约85亿美元),同比激增31.8%,环比暴涨158.6%,创下2022年第二季度以来的三年峰值,远超市场预期的10.1万亿韩元。营收同步攀升至86万亿韩元,同比增长8.7%,首次突破80万亿韩元大关,核心驱动力直指内存芯片价格的飙升与AI需求的爆发。

利润推手:内存涨价与供需错配共振

本轮业绩爆发的核心是存储芯片市场的强势复苏。三星将部分DRAM价格上调15%-30%,NAND闪存涨幅达5%-10%,而现货市场DDR4价格单月涨近30%,半年累计涨幅超200%,甚至出现DDR4价格反超DDR5的倒挂现象。TrendForce数据显示,Q3服务器用DRAM价格同比暴涨171.8%,直接拉动三星设备解决方案(DS)部门利润反弹超10倍,预计营业利润超5万亿韩元。

涨价根源在于AI驱动的供需失衡:AI服务器对DRAM需求是普通服务器的8倍,OpenAI“星际之门”项目每月采购90万片DRAM晶圆,占全球产量近40%。而三星等头部厂商为追逐HBM高利润,主动削减传统产能——三星已停止DDR4生产,将产能转向DDR5与HBM,进一步加剧供应缺口。

隐忧与前景:HBM短板与涨价周期延续

尽管业绩亮眼,三星仍面临HBM业务的竞争压力。其12层HBM3E芯片刚通过英伟达认证,而SK海力士早于2024年抢占先机,目前占据全球60%的HBM市场份额。不过这一短板被传统内存的高增长抵消,叠加与特斯拉165亿美元代工协议、OpenAI存储合作等利好,三星股价年内涨幅已超70%。

行业机构预测,涨价周期将持续至2026年第二季度,Q4 NAND价格或再涨5%-10%,服务器用eSSD涨幅超10%。随着三星HBM产能释放及AI需求持续扩张,市场预期其2026年营业利润有望创下2018年以来新高。完整财报将于10月30日公布,存储业务细节将进一步揭示增长韧性。

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